个人简介
一、个人简介
邵枫，男，1984年生于江苏常熟，2006年6月毕业于南京航空航天大学应用化学专业；2007.9—2009.12于瑞典皇家理工学院纳米技术专业获得硕士学位； 2010.3—2014.3于西班牙巴塞罗那大学获得先进工程技术博士学位；博士期间在加泰罗尼亚能源研究所J.R.Morante课题组从事纳米线气体传感研究。2016年9月于南京大学电子工程学院博士后出站，受聘于江南大学物联网学院，任副教授。
邵枫博士目前主要研究方向为氧化物半导体器件，特别是双电层薄膜晶体管的制备、机理与应用。目前第一作者发表SCI论文8篇。曾参与欧盟FP7项目和国家自然科学基金项目，获得国家博士后科学基金二等资助。2017年获国家和省青年基金资助，入选江苏省双创博士项目。
代表性论文：
[1]Feng Shao, et al., Starch as ion-based gate dielectric for oxide thin film transistors, Organic Electronics, 45, pp. 203-208 2017.
[4]Feng Shao, et al.,Multifunctional Logic Demonstrated in a Flexible Multigate Oxide-Based Electric-Double-Layer Transistor on Paper Substrate, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 1600509, 2017.
[3]Shao, F., et al.,NH3sensing with self-assembled ZnO-nanowire μhP sensors in isothermal and temperature-pulsed mode, Sensors and Actuators B, 226, pp. 110-117, (2016).
[4]Shao, F., et al.,Copper (II) oxide nanowires for p-type conductometric NH3sensing,Applied Surface Science, 311, pp. 177-181, (2014).
[5]F. Shao, et al., Heterostructured p-CuO (Nanoparticle)/n-SnO2(Nanowire) Devices for Selective H2S Detection, Sensors and Actuators B, 181, pp. 130-135, (2013).
二、研究生教育
学术型研究生招生专业：微电子学与固体电子学
专业型研究生招生专业：集成电路工程
欢迎对半导体制造与器件测试感兴趣，并有志于从事微电子制造工艺、平板显示器、传感器等行业的同学报考。
专业背景要求：微电子、电子信息、物理、材料、化学等专业。
三、联系方式
通信地址：江苏省无锡市江阴市府前路299号江南大学霞客湾校区集成电路学院
邮编：214401
Email：sf@jiangnan.edu.c
学习、工作经历
2006年本科毕业于南京航空航天大学，
2009年获得瑞典皇家理工学院纳米技术硕士学位，期间曾在乌普萨拉大学Angstrom实验室实习。
随后在加泰罗尼亚能源研究所J.R. Morante教授团队从事氧化物纳米线气体传感研究，并于2014年获得西班牙巴塞罗那大学先进工程与技术博士学位。
2014-2016年在南京大学电子科学与工程学院万青教授课题组从事博士后研究工作，后来到江南大学物联网工程学院工作。
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以第一和通讯作者在Sens. Actuators: B, ACS Appl. Mater. Interfaces, Adv. Electron. Mater.以及Flex. Print. Electron.等杂志发表论文十余篇，授权发明专利两项。获中国博士后科学基金，国家自然科学基金和江苏省自然科学基金青年项目资助，获评江苏省双创博士，开展横向课题。目前主要研究方向为氧化物双电层薄膜晶体管、直写打印技术和湿度传感器。
代表性论文：
[1] Yan F-J, Huang W-Q, Sang X-H, Liang J-G, Wan X, Shao F and Gu X-F Direct ink write printing of resistive-type humidity sensors. Flexible and Printed Electronics, 2021, 6, 045007
[2] Wei L, Huang W, Fang X, Wang X, Mou P, Shao F and Gu X Humidity Stability of All-Sputtered Metal-Oxide Electric-Double-Layer Transistors. IEEE Trans. Electron Devices, 2020, 67, 5532-6
