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姓名:万 茜

职称:副教授

最高学历:博士

担任导师:硕导

联系方式:xwan@jiangnan.edu.cn

个人简介

一、个人简介

万茜,男,江苏宜兴人,现任江南大学物联网工程学院副教授,主要从事石墨烯等二维材料的研究;在graphene, h-BN, TMDCs等二维材料及其异质结的喷墨打印制备与化学气相沉积(CVD)研制方面,在二维材料转移工艺及其光电子器件领域等,作出了一系列原创性的研究工作,在Adv. Mater.,Adv. Funct. Mater.,Chem. Mater.,ACS Nano,Small等国际权威学术期刊上共发表SCI论文20余篇,被引超过1000次;主持国家自然科学基金,江苏省自然科学基金等多个科研项目;2015年获教育部高校betway必威官方网站app优秀成果奖自然科学奖二等奖(第三完成人);2017年入选江苏省“双创博士”;2018年度入选江苏省“六大人才高峰”,同年获得江苏省教育教学与研究成果奖三等奖(第二完成人);2019年入选无锡市“太湖人才计划”。

二、教育经历:

2009.08 - 2013.08,香港中文大学电子工程学,哲学博士;

2008.09 - 2009.06,香港科技大学电子工程学,理学硕士;

2004.09 - 2008.06,南京大学电子信息科学与技术,理学学士。

三、工作经历:

2013.10.07 - 2016.10.08,香港中文大学电子工程学学系,博士后研究员;

2013.09.01 - 2013.10.06,香港中文大学电子工程学学系,兼任助理研究员;

2009.06.01 - 2013.08.31,香港中文大学电子工程学学系,初级助理研究员。

四、代表性论文

第一作者/共同一作发表SCI论文

[1] X. Wan, X. Miao, J. Yao, S. Wang, F. Shao, S. Xiao, R. Zhan, K. Chen, X. Zeng,

X. Gu, J. Xu, In Situ Ultrafast and Patterned Growth of Transition Metal Dichalcogenides

from Inkjet-Printed Aqueous Precursors.Adv. Mater.2021, 33(16), e2100260.

[2] X. Wan#, H. Li#, K. Chen, J. Xu, Towards Scalable Fabrications and Applications of 2D Layered Material-based Vertical and Lateral Heterostructures,Chem. Res. Chin. Univ.2020, 36(4), 525-550.

[3] X. Wan#, K. Chen#, Z. Chen, F. Xie, X. Zeng, W. Xie, J. Chen, J. Xu. Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors.Adv. Funct. Mater.2017, 27(19): 1603998.

[4] K. Chen#, X. Wan#*, J. Xu.* Epitaxial Stitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides (TMDCs) Heterojunctions.Adv. Funct. Mater.2017, 27(19): 1603884.

[5] X. Wan#, K. Chen#, W. Xie, J. Wen, H. Chen, J. B. Xu. Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering.Small2016, 12(4): 438-445.

[6] K. Chen#, X. Wan#, W. Xie, J. Wen, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. Xu. Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2-WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy.Adv. Mater.2015, 27(41): 6431-6437.

[7] K. Chen#, X. Wan#, J. Wen, W. Xie, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. B. Xu. Electronic Properties of MoS2-WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy.ACS Nano2015, 9(10): 9868-9876.

[8] X. Wan#, K. Chen#, J. Xu. Interface engineering for CVD graphene: current status and progress.Small2014, 10(22): 4443-4454.

[9] X. Wan, K. Chen, J. Du, D. Liu, J. Chen, X. Lai, W. Xie, J. Xu. Enhanced Performance and Fermi-Level Estimation of Coronene-Derived Graphene Transistors on Self-Assembled Monolayer Modified Substrates in Large Areas.J. Phys. Chem. C2013, 117(9): 4800-4807.

[10] K. Chen#, X. Wan#, J.-B. Xu. Controllable modulation of the electronic properties of graphene and silicene by interface engineering and pressure.J. Mater. Chem. C2013, 1(32): 4869.

[11] K. Chen#, X. Wan#, D. Liu, Z. Kang, W. Xie, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperature.Nanoscale2013, 5(13): 5784-5793.

[12] X. Wan#, K. Chen#, D. Liu, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. High-Quality Large-Area Graphene from Dehydrogenated Polycyclic Aromatic Hydrocarbons.Chem. Mater.2012, 24(20): 3906-3915.

合作作者发表SCI论文

[1] H. Lai, R. He, X. Xu, T. Shi, X. Wan, H. Meng, K. Chen, Y. Zhou, Q. Chen, P. Liu, J. Chen, J. Xu, W. Xie,A self-driven approach for local ion intercalation in vdW crystals, Nanoscale 2020, 12(3), 1448-1454.

[2] X. Zhang, H. Nan, S. Xiao, X. Wan, X. Gu, A. Du, Z. Ni, K. K. Ostrikov,Transition metal dichalcogenides bilayer single crystals by reverse-flow chemical vapor epitaxy, Nat. Commun. 2019, 10(1), 598.

[3] X. Zhang, S. Xiao, L. Shi, H. Nan, X. Wan, X. Gu, Z. Ni, K. Ostrikov,Large-size Mo1-xWxS2 and W1-xMoxS2 (x = 0–0.5) monolayers by confined-space chemical vapor deposition,Appl. Surf. Sci. 2018, 457, 591-597.

[4] X. Zhang, S. Xiao, H. Nan, H. Mo, X. Wan, X. Gu, K. K. Ostrikov,Controllable one-step growth of bilayer MoS2-WS2/WS2 heterostructures by chemical vapor deposition, Nanotechnology 2018, 29(45), 455707.

[5] X. Zhang, H. Nan, S. Xiao, X. Wan, Z. Ni, X. Gu, K. Ostrikov. Shape-Uniform, High-Quality Monolayered MoS2 Crystals for Gate-Tunable Photoluminescence.ACS Appl. Mater. Interfaces2017, 9(48): 42121-42130.

[6] Y. Wang, X. Du, J. Wang, M. Su, X. Wan, H. Meng, W. Xie, J. Xu, P. Liu. Growth of Large-Scale, Large-Size, Few-Layered alpha-MoO3 on SiO2 and Its Photoresponse Mechanism.ACS Appl Mater Interfaces2017, 9(6): 5543-5549.

[7] K. Chen, Z. Chen, X. Wan, Z. Zheng, F. Xie, W. Chen, X. Gui, H. Chen, W. Xie, J. Xu. A Simple Method for Synthesis of High-Quality Millimeter-Scale 1T' Transition-Metal Telluride and Near-Field Nanooptical Properties.Adv. Mater.2017, 29(38): 1700704.

[8] T. Zhang, M. Long, K. Yan, X. Zeng, F. Zhou, Z. Chen, X. Wan, K. Chen, P. Liu, F. Li, T. Yu, W. Xie, J. Xu. Facet-Dependent Property of Sequentially Deposited Perovskite Thin Films: Chemical Origin and Self-Annihilation.ACS Appl. Mater. Interfaces2016, 8(47): 32366-32375.

[9] J. Wang, Z. Cheng, Z. Chen, X. Wan, B. Zhu, H. K. Tsang, C. Shu, J. Xu. High-responsivity graphene-on-silicon slot waveguide photodetectors.Nanoscale2016, 8(27): 13206-13211.

[10] L. Liu, K. Xu, X. Wan, J. Xu, C. Y. Wong, H. K. Tsang. Enhanced optical Kerr nonlinearity of MoS_2 on silicon waveguides.Photonics Res.2015, 3(5): 206-209.

[11] Z. Chen, Z. Cheng, J. Wang, X. Wan, C. Shu, H. K. Tsang, H. P. Ho, J.-B. Xu. High Responsivity, Broadband, and Fast Graphene/Silicon Photodetector in Photoconductor Mode.Adv.Opt. Mater.2015, 3(9): 1207-1214.

[12] W.-G. Xie, X. Lai, X.-M. Wang, X. Wan, M.-L. Yan, W.-J. Mai, P.-Y. Liu, J. Chen, J.-b. Xu. Influence of Annealing on Raman Spectrum of Graphene in Different Gaseous Environments.Spectrosc. Lett.2014, 47(6): 465-470.

[13] M. Wang, S. Zheng, X. Wan, Y. Su, N. Ke, N. Zhao, K. Y. Wong, J. Xu. Limit of Voc in polymeric bulk heterojunction solar cells predicted by a double-junction model.Sol. Energ. Mat. Sol. C.2013, 108(0): 17-21.

五、研究生教育

学术型研究生招生专业:微电子学与固体电子学;

专业型研究生招生专业:集成电路工程;

专业背景要求:电子信息科学与技术、微电子、材料、物理、化学等专业。

六、联系方式

通信地址:江苏省无锡市江阴市府前路299号江南大学霞客湾校区集成电路学院

邮编:214401

Email:xwan@jiangnan.edu.cn

主要研究方向

二维半导体材料与器件

石墨烯制备与应用

学习、工作经历

学历:

2009-2013年: 香港中文大学, 获博士学位

2008-2009年: 香港科技大学, 获硕士学位

2004-2008年: 南京大学, 获学士学位

工作经历:

2016年-至今: 江南大学副教授

2013-2013年: 香港中文大学博士后

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多年从事二维材料领域工作,包括石墨烯、TMDCs及其平面/垂直异质结的研制与器件物理研究,2013年在香港中文大学以最优等级A博士毕业,2016年在江南大学电子工程系建立起“二维层状半导体材料实验室”,主持完成国家自然科学青年基金和江苏省自然科学青年基金各一项,发表SCI论文30余篇,他引1000余次,h-index为18,其中包括Advanced Materials 2篇(IF=32.086),Advanced Functional Materials 2篇(IF= 19.924),ACS Nano 2篇(IF= 18.027),Small 2篇(IF= 15.153)等;申请国内专利5项,授权2项;2018年获江苏省教育教学与研究成果奖三等奖(第二完成人),2015年获教育部高校betway必威官方网站app优秀成果奖自然科学奖二等奖(第三完成人)。

学术兼职及荣誉

1. 2019年入选无锡市“太湖人才计划”

2. 2018年入选江苏省“六大人才高峰”

3. 2017年入选江苏省 “双创博士”

教育教学

本科生课程:数字电子技术,电子技术课程设计,新生研讨课,石墨烯与现代生活

研究生课程:高等半导体物理

教改项目:面向高年级微电子专业学生的新型二维半导体材料与器件实验实践教学研究

招生专业

硕士:电子科学与技术(080900)、 集成电路工程 (085403)

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