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姓名:赵琳娜

职称:副教授

最高学历:博士

担任导师:硕导

联系方式:zhaolinna@163.com

个人简介

1、个人简历

赵琳娜,博士,1979年12月生,天津人,电子工程系副教授。主要研究方向为碳化硅功率器件的设计与可靠性分析。

2、研究生教育

硕士研究生

专业型研究生招生专业:集成电路

研究方向:大功率碳化硅MOS器件的设计与可靠性分析

3、联系方式

通信地址:江苏省无锡市江阴市府前路299号江南大学霞客湾校区集成电路学院

邮编:214401

Email: zhaolinna@163.com

主要研究方向

硅(Si)基功率器件的设计、电学可靠性与失效分析。

碳化硅(SiC)基MOS功率器件的设计、电学可靠性与失效分析。

学习、工作经历

学习经历:

2004.09-2007.04 江南大学信息工程学院 硕士

2013.09-2018.12 江南大学物联网工程学院 博士

工作经历:

2007.10-2010.06 江南大学信息工程学院

2010.06-至今 江南大学物联网工程学院

2022.09-2023.08 加拿大多伦多大学访问学者

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主持江苏省产学研合作项目1项,主持签订多项企业横向委托课题。

[1] Zhao L, Yan D, Zhang Z, et al. Temperature-Dependent Efficiency Droop in GaN-Based Blue LEDs[J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 528-531.

[2] Zhao L, Chen L, Yu G, et al. Tunneling-hopping Transport Model for Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Blue Light-emitting Diodes[J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 29(17):1447-1450.

[3] Zhao L, Yu P, Guo Z, et al. Progressive current degradation and breakdown behavior in GaN LEDs under high reverse bias stress[J]. Chinese Physics B, 2017, 26(8): 429-432.

[4] Zhu C, Zhao L, Yang Z, et al. Investigation on Degradation and Breakdown Behaviors of SGTs under Repetitive UIS Avalanche Stress[J]. Chinese Physics B, 2022.

学术兼职及荣誉

江南大学本科优秀毕业设计指导教师,2019.

教育教学

本科生课程:数字集成电路设计、版图设计技术、数字电子技术

教改项目:教育部产学合作协同育人项目-数字集成电路设计卓越课程建设,2019.02-2020.02

招生专业

硕士:电子科学与技术(080900)、集成电路工程(085403)

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